所以在实际应用过程中，与硅基相比可以设计成更小的体积，约为硅基器件的1/10。耐高温!半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效!禁带宽度越大外延晶片均匀性控制方面，由于外延片尺寸的增大往往会伴随外延晶片均匀性的下降，因此大尺寸外延晶片均匀性的控制是提高器件良率和可靠性、进而降低成本的关键!外延缺陷控制问题！基晶面位错（BPD）是影响碳化硅双极型功率器件稳定性的一个重要结晶缺陷，不断降低BPD密度是外延生长技术发展的主要方向！

　　禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高！碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性.硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上!同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化！实现高频的性能.碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度.

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　　防氧化剂法除了优先碳源氧化生成金属氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，还可以通过固相反应生成液相等物质堵塞材料内部气孔提升材料的致密度阻止氧气的进入来提高防氧化效果，优化碳源法则通过复合碳源以及在碳源的表面添加涂层达到一定的防氧化效果!详细阐述了3种方法的工艺特点以及目前存在的问题，并对其发展方向进行了展望，为开发新型三氧化二铝-碳化硅-碳浇注料防氧化技术提供参考!高炉炼铁是钢铁工业普遍采用的炼铁工艺流程。

　　在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增！由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限!此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线!碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题！

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　　有人说这是激光切割技术，作者研究后发现应该不是激光切割，而是类似离子注入法和做SOI硅片的技术比较接近的剥离技术！碳化硅透光率很高，激光切并不合适，而且激光切割设备相当昂贵，当然离子注入法剥离也不简单，现阶段现实的还是线切！切割良率就真正考验各家水准了，同样3cm晶锭厚度，终得片率是30片还是33片还是35片？每多一片都是利润.对于磨抛而言，也有不少技术难点还未完全，但是要比切略简单，无非是慢一点!

　　在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的选择！高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道!高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率!因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之一！由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性。耐高温!半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效.“《电子信息产业调整和振兴规划》（下称《规划》）实施的3年，是促进电子信息产业结构调整、由大变强、提升产业国际竞争力的关键时期”，中国国际工程咨询公司高技术业务部副主任、教授级高工徐红在接受记者专访时表示，“我国目前已成为世界电子信息产品的制造大国，产业规模巨大，但产业的综合国际竞争力还有待进一步提高，我国电子信息企业在核心技术和知识产权方面与国际电子信息大型跨国公司相比还存在一定差距，因此，无论是政府还是企业，都必须加大力度推进产业的由大变强”。