纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，专业电涌保护器生产商,obo电涌保护器相关，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，专业电涌保护器生产商,浪涌保护器相关，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀

性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

在复用通道的光纤保护上，保护与复用装置时间同步的问题对于光纤电流差动保护的正确运行起到关键的作用，因此目前光纤差动电流保护都采用主从方式，以保证时钟的同步。由于目前光纤均采用64kbit/s数字通道，电流差动保护通道中既要传送电流的幅值，又要传送时间同步信号，通道资源紧张，要求数据的误码校验位不能过长，这样就影响了误码校验的精度。目前部分厂家推出的2Mbit/s数字接口的光纤电流差动保护能很好地解决误码校验精度的问题。

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SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐级分流、分级保护的方法，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,才能保证SPD即有很长的寿命，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，专业电涌保护器生产商,电涌保护器 施耐德相关，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

配电线路中时常会出现电压的突升、突降、闪变和波动的电压扰动问题，通过在配电端架动态电源恢复器是目前解决这些问题的常用方法。这种传统的动态电压恢复器消除系统电源扰动的方式是对系统注入一股补偿电压，但是补偿电压是由可调自耦变压器和隔离变压器来产生的，这种不连续的调节降低了动态电压恢复器对于系统的响应速度，会出现不能将电压波动完全消除的情况。另一方面，由于内部构成的问题，传统的动态电压恢复器的体积比较大、成本都比较高。 （1）限位挡块与限位开关的位置产生偏差。限位开关是高压隔离开关的组成部分，在隔离开关处于合闸、分闸状态时，可将驱动电机的电源切断。但在限位开关与其限位挡块间的间隙没有得到良好调整的情况下，切断作用便无法得以发挥，驱动电机便将继续运作。针对这一情况的处理方法为：切断操作回路的电源后，分别于分闸、合闸两个位置通过手动摇柄放置隔离开关，使限位开关与限位挡块的位置得以调整后相切合，以万用表进行测试后进行送电检查即可。