目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。目前，市面上大多采用蓝宝石或碳化硅衬底来外延生长宽带隙半导体氮化镓，这两种材料价格都非常昂贵，且都为国外大企业所垄断，而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底便宜得多，可制作出尺寸更大的衬底，提高MOCVD的利用率，从而提高管芯产率。所以，为突破国际专利壁垒，中国研究机构和LED企业从硅衬底材料着手研究。