日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍，是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。据研究小组介绍，制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法，并开发出了不使用自由基化气体的掺杂(Doping)法。这样有望采用量产性更高的MOCVD(有机金属气相沉积)法。目标用途是用于液晶显示器的背照灯及照明灯的白色LED。研究小组指出，采用紫外LED的白色LED，与搭配使用蓝色LED与黄色荧光体的InGaN及GaN类白色LED相比，有望提高演色性及色再现性。另外，该小组还称，制造GaN类LED时很难采购到高品质的低价单晶底板，但ZnO类LED可轻松合成单晶底板。因此，有望以较低的成本量产采用单晶底板的LED元件，这种底板可使发光层与网栅轻松匹配。东北大学川崎雅司教授表示，此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。