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防雷电涌保护器_电涌保护器

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纳米ZnO技术1、高电位梯度:近年国内外的研究结果表明,ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目,液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度;而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的,故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。纳米ZnO是由极细晶粒组成,其特征维度尺寸(晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等)是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计,能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度,能够大幅提高单位面积的通流能力,能够大幅提高电位梯度。2、高能量耐受:同单位体积的能量耐受,主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点,最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。在原料的选用上,纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁,其表面效应伴随着粒径的减小,表面原子数的迅速增加,纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子,有许多悬空键,具有不饱和性质,易与其它原子相结合而稳定下来,故具有很大的化学活性。在添加剂的选用上,使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO3,有助于提高烧结过程中的传质速度,有助于改善液相对界面的侵润性,形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整,对于芯片均匀性改善均起到显著作用,对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

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联系人:张素霞

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