5/23/2011,易飞扬宣布于5月23日正式启用位于深圳西丽的1800平米新厂房。厂房按照10万级净化标准设计，将生产全新技术与高品质的光纤阵列(FA)产品。易飞扬对本次投入生产的FA产品充满信心。新光纤阵列产品将采用独特的离子半导体工艺技术与精密切割技术完成，具备纤芯距(COREPITCH)精度高、可靠性好、成本合理等优点，是目前流行的光纤阵列产品的一个升级换代与互补产品。易飞扬也将在新厂房优化传统光纤阵列产品的工艺技术并扩充产能。与此同时，对PLC晶圆(wafer)的切割加工将在新厂房完成量产。以上举措将极大促进与提升易飞扬在PLC光分路器产品上的品牌与技术影响力，进一步深化易飞扬在无源光器件领域的自主创新优势。易飞扬于2009年6月进入无源光器件产业，至目前已经在平面光波导产品、微光学产品、保偏与高功率产品三大领域取得巨大成功。下一阶段易飞扬不但将在以上三个领域扩充技术与产能实力，也将重点布局研发下一代WDM-PON关键无源光器件。 近日，三菱电机宣布，开发出了能够一次将一块多晶碳化硅(SiC)锭切割成40片SiC晶片的多点放电线切割技术。据悉，该技术有望提高SiC晶片加工的生产效率，降低加工成本。　　据介绍，多点放电线切割技术是将直径为0.1mm的铁类材料制成的金属线以0.6mm的间隔缠绕在导轮上，同时在40处实施放电加工，一次就将SiC锭切割成40片SiC晶片。通过独立控制对每个切割部位的供电，使各切割部位的加工速度实现均一化，从而一次可切割出多片晶片。　　三菱电机驱动控制系统技术部长真柄卓司介绍说：“通过独立控制使各个供电部分的放电量实现均一化是很难办到的。其他公司无法简单模仿”。该技术的加工速度为0.08mm/min，能够在20多个小时内切割完一块截面为4英寸见方的SiC锭。　　SiC作为功率半导体用材料，近年来需求不断扩大。SiC晶片加工方面，目前最常见的是使用磨粒线锯进行多线切割的接触式机械加工，磨粒线锯砥粒式线锯的直径较大，为0.2mm左右，切割面的表面粗糙度也比放电线切割加工粗。此外，SiC硬度较高，需要使用昂贵的金刚石作为磨粒。而此次开发的放电线切割加工技术的线间距仅为0.6mm左右，比磨粒线锯的一般间距(约0.8mm)窄，而且切割下料的宽度也很窄，因此切割同样大小的晶锭可得到的晶片数量(收获量)也要多出约3成。　　另外，放电线切割加工使用的金属线无需使用特殊材料。三菱电机今后将对该技术进行定量性成本评估，估计该技术能够凭借收获量的增加以及金属线的低成本化削减加工成本。今后该公司将提高该技术的加工可靠性和稳定性，并通过自动化来提高易用性，力争2015年度推出产品。 下面我们就分别讲讲这三种方法，电火花加工的方法就是通过在放电瞬间产生剧烈高温。然后，利用这一高温将工件的表面熔化，从而达到机械加工的目的；仿形磨削加工方法就是通过利用专门的平面磨床，中板切割加工价格_安阳钢板切割加工最新报价_河南德高贸易有限公司，通过仿形尺对粉末冶金模具进行仿形磨削。这种粉末冶金模具加工方法的特点是其加工生产的粉末冶金模具的精密度较高，且表面较为光滑、平整，粗糙度较低；数控线切割加工的方法，是通过将金属丝电极安装在一个转动的贮丝筒上，然后分别将被切割工件与金属丝电极接到高频电源的正、负极上，通过计算机技术控制控制电极的移动方向，并通过电火花加工达到自动切割的目的。