在未来几年里，大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。由于4英寸碳化硅衬底及外延的技术已经日趋成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供给短缺的问题，其未来降价空间有限.此外，虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程，随着8英寸碳化硅外延技术的逐渐成熟，未来可能会出现8英寸碳化硅功率器件生产线!碳化硅外延主要解决外延晶片均匀性控制和外延缺陷控制两大问题.

　　2cm厚度的碳化硅晶锭，现有技术完全切开也需要至少100小时左右，相当费时间.锯切效率高，但是破片率高，线切效果稍好，但是效率很低！切磨抛设备日本高鸟，永安有不少新设备上线，从业内反馈效果还行，但是日本公司都有个通病，不太愿意大规模扩产，因此这些设备谁买到谁就能先把产能扩出来！英飞凌曾经花了24亿欧元收购一家做碳化硅冷切割（coldspitl）技术的公司Silecrta，以希望用冷切割技术，低成本得到多的碳化硅晶片。

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　　所以在实际应用过程中，与硅基相比可以设计成更小的体积，约为硅基器件的1/10.耐高温.半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大外延晶片均匀性控制方面，由于外延片尺寸的增大往往会伴随外延晶片均匀性的下降，因此大尺寸外延晶片均匀性的控制是提高器件良率和可靠性、进而降低成本的关键。外延缺陷控制问题.基晶面位错（BPD）是影响碳化硅双极型功率器件稳定性的一个重要结晶缺陷，不断降低BPD密度是外延生长技术发展的主要方向.

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　　同时碳化硅衬底材料能量损失更小!在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。因此碳化硅器件的能量损失更小。当前外延主要以4英寸及6英寸为主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年递增.碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅衬底尺寸，当前6英寸碳化硅衬底已经实现商用，因此碳化硅衬底外延也逐渐从4英寸向6英寸过渡!

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　　在相当长时间内，高炉炼铁仍将是炼铁工艺的选择!高炉出铁沟是铁水和炉渣熔化后的必要通道.高炉出铁沟浇注料是保障高炉出铁沟出铁安全、稳定、运行的基础，延长高炉出铁沟浇注料的使用寿命可以有效降低炼铁成本和提高生产效率！因此，它是炼铁工艺中的基础和关键耐火材料之一。由于出铁沟频繁受到高温铁水和熔渣的机械冲蚀和侵蚀，所以出铁沟浇注料必须具有优良的抗热冲击性和抗渣性.耐高温.半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效.